部品型番 | FDP025N06 | メーカー | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
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説明 | MOSFET N-CH 60V 120A TO-220 | フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
在庫あり | 37453 pcs | データシート | 1.FDP025N06.pdf2.FDP025N06.pdf |
同上@ VGS(TH)(最大) | 4.5V @ 250µA | Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | サプライヤデバイスパッケージ | TO-220AB |
シリーズ | PowerTrench® | 同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 2.5 mOhm @ 75A, 10V |
電力消費(最大) | 395W (Tc) | パッケージング | Tube |
パッケージ/ケース | TO-220-3 | 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
装着タイプ | Through Hole | 水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム | 6 Weeks | 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 14885pF @ 25V | ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 226nC @ 10V |
FETタイプ | N-Channel | FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V | ソース電圧(VDSS)にドレイン | 60V |
詳細な説明 | N-Channel 60V 120A (Tc) 395W (Tc) Through Hole TO-220AB | 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 120A (Tc) |
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