部品型番 | STU10N60M2 | メーカー | STMicroelectronics |
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説明 | MOSFET N-CH 600V IPAK | フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
在庫あり | 81692 pcs | データシート | STU10N60M2.pdf |
同上@ VGS(TH)(最大) | 4V @ 250µA | Vgs(最大) | ±25V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | サプライヤデバイスパッケージ | I-PAK |
シリーズ | MDmesh™ II Plus | 同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 600 mOhm @ 3A, 10V |
電力消費(最大) | 85W (Tc) | パッケージング | Tube |
パッケージ/ケース | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | 他の名前 | 497-13977-5 STU10N60M2-ND |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 装着タイプ | Through Hole |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) | 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 400pF @ 100V | ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 13.5nC @ 10V |
FETタイプ | N-Channel | FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V | ソース電圧(VDSS)にドレイン | 600V |
詳細な説明 | N-Channel 600V 7.5A (Tc) 85W (Tc) Through Hole I-PAK | 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 7.5A (Tc) |
フェデックス | www.FedEx.com | 35.00ドルからの基本送料は、ゾーンと国によって異なります。 |
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