部品型番 | TK12P60W,RVQ | メーカー | Toshiba Semiconductor and Storage |
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説明 | MOSFET N CH 600V 11.5A DPAK | フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
在庫あり | 5098 pcs | データシート | TK12P60W,RVQ.pdf |
同上@ VGS(TH)(最大) | 3.7V @ 600µA | Vgs(最大) | ±30V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | サプライヤデバイスパッケージ | DPAK |
シリーズ | DTMOSIV | 同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 340 mOhm @ 5.8A, 10V |
電力消費(最大) | 100W (Tc) | パッケージング | Cut Tape (CT) |
パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | 他の名前 | TK12P60WRVQCT |
運転温度 | 150°C (TJ) | 装着タイプ | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) | 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 890pF @ 300V | ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 25nC @ 10V |
FETタイプ | N-Channel | FET特長 | Super Junction |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V | ソース電圧(VDSS)にドレイン | 600V |
詳細な説明 | N-Channel 600V 11.5A (Ta) 100W (Tc) Surface Mount DPAK | 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 11.5A (Ta) |
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