部品型番 | TK32E12N1,S1X | メーカー | Toshiba Semiconductor and Storage |
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説明 | MOSFET N CH 120V 60A TO-220 | フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
在庫あり | 79474 pcs | データシート | TK32E12N1,S1X.pdf |
同上@ VGS(TH)(最大) | 4V @ 500µA | Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | サプライヤデバイスパッケージ | TO-220 |
シリーズ | U-MOSVIII-H | 同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 13.8 mOhm @ 16A, 10V |
電力消費(最大) | 98W (Tc) | パッケージング | Tube |
パッケージ/ケース | TO-220-3 | 他の名前 | TK32E12N1,S1X(S TK32E12N1S1X |
運転温度 | 150°C (TJ) | 装着タイプ | Through Hole |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) | 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 2000pF @ 60V | ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 34nC @ 10V |
FETタイプ | N-Channel | FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V | ソース電圧(VDSS)にドレイン | 120V |
詳細な説明 | N-Channel 120V 60A (Tc) 98W (Tc) Through Hole TO-220 | 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 60A (Tc) |
フェデックス | www.FedEx.com | 35.00ドルからの基本送料は、ゾーンと国によって異なります。 |
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