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TK32E12N1,S1X

Toshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage
TK32E12N1,S1X Image
画像はあくまで参考用です、実用的な製品の仕様を参照してください。

製品の概要

部品型番: TK32E12N1,S1X
メーカー/ブランド: Toshiba Semiconductor and Storage
製品の説明 MOSFET N CH 120V 60A TO-220
仕様書: TK32E12N1,S1X.pdf
RoHS ステータス 鉛フリー/ RoHS準拠
在庫状況 79474 pcs stock
配達場所 香港
輸送モード DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
In Stock 79474 pcs
参考価格(USD)
1 pcs
$0.579
50 pcs
$0.464
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TK32E12N1,S1Xの仕様

部品型番 TK32E12N1,S1X メーカー Toshiba Semiconductor and Storage
説明 MOSFET N CH 120V 60A TO-220 フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
在庫あり 79474 pcs データシート TK32E12N1,S1X.pdf
同上@ VGS(TH)(最大) 4V @ 500µA Vgs(最大) ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide) サプライヤデバイスパッケージ TO-220
シリーズ U-MOSVIII-H 同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 13.8 mOhm @ 16A, 10V
電力消費(最大) 98W (Tc) パッケージング Tube
パッケージ/ケース TO-220-3 他の名前 TK32E12N1,S1X(S
TK32E12N1S1X
運転温度 150°C (TJ) 装着タイプ Through Hole
水分感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited) 鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 2000pF @ 60V ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 34nC @ 10V
FETタイプ N-Channel FET特長 -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 10V ソース電圧(VDSS)にドレイン 120V
詳細な説明 N-Channel 120V 60A (Tc) 98W (Tc) Through Hole TO-220 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 60A (Tc)

郵送方法

★注文金額が1,000米ドルを超える場合、DHL / FEDEX / UPSによる無料配送。
(集積回路、回路保護、RF / IFおよびRFID、オプトエレクトロニクス、センサー、トランスデューサー、変圧器、アイソレーター、スイッチ、リレーのみ)

フェデックス www.FedEx.com 35.00ドルからの基本送料は、ゾーンと国によって異なります。
DHL www.DHL.com 35.00ドルからの基本送料は、ゾーンと国によって異なります。
UPS www.UPS.com 35.00ドルからの基本送料は、ゾーンと国によって異なります。
TNT www.TNT.com 35.00ドルからの基本送料は、ゾーンと国によって異なります。

★配達時間は、DHL / UPS / FEDEX / TNTによる世界中のほとんどの国への2-4日を必要とします。

発送についてご質問がある場合は、お気軽にお問い合わせください。私達に電子メールを送り info@Ocean-Components.com
FedexDHLUPSTNT

売り上げ後の保証

  1. Ocean-Components.comの各製品には1年間の保証期間が与えられています。この期間中、製品に問題がある場合は無料の技術メンテナンスを提供できます。
  2. 製品を受け取った後に品質の問題を見つけた場合は、それらをテストし、証明できる場合は無条件の払い戻しを申請できます。
  3. 製品に欠陥がある場合、または機能しない場合は、1年以内に返品できます。商品の輸送および通関手数料はすべて当社が負担します。

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