部品型番 | TPH8R80ANH,L1Q | メーカー | Toshiba Semiconductor and Storage |
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説明 | MOSFET N CH 100V 32A 8-SOP | フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
在庫あり | 72855 pcs | データシート | TPH8R80ANH,L1Q.pdf |
同上@ VGS(TH)(最大) | 4V @ 500µA | Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | サプライヤデバイスパッケージ | 8-SOP Advance (5x5) |
シリーズ | U-MOSVIII-H | 同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 8.8 mOhm @ 16A, 10V |
電力消費(最大) | 1.6W (Ta), 61W (Tc) | パッケージング | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース | 8-PowerVDFN | 他の名前 | TPH8R80ANH,L1Q(M TPH8R80ANHL1Q TPH8R80ANHL1QTR |
運転温度 | 150°C (TJ) | 装着タイプ | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) | 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 2800pF @ 50V | ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 33nC @ 10V |
FETタイプ | N-Channel | FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V | ソース電圧(VDSS)にドレイン | 100V |
詳細な説明 | N-Channel 100V 32A (Tc) 1.6W (Ta), 61W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5) | 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 32A (Tc) |
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