FDP16AN08A0

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

画像はあくまで参考用です、実用的な製品の仕様を参照してください。

製品の概要

部品型番:	FDP16AN08A0
メーカー/ブランド:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
製品の説明	MOSFET N-CH 75V 58A TO-220AB
仕様書:	1.FDP16AN08A0.pdf 2.FDP16AN08A0.pdf
RoHS ステータス	鉛フリー/ RoHS準拠
在庫状況	73085 pcs stock
配達場所	香港
輸送モード	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 73085 pcs

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部品型番	FDP16AN08A0	メーカー	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
説明	MOSFET N-CH 75V 58A TO-220AB	フリーステータス/ RoHS状態	鉛フリー/ RoHS準拠
在庫あり	73085 pcs	データシート	1.FDP16AN08A0.pdf 2.FDP16AN08A0.pdf
同上@ VGS（TH）（最大）	4V @ 250µA	Vgs（最大）	±20V
技術	MOSFET (Metal Oxide)	サプライヤデバイスパッケージ	TO-220-3
シリーズ	PowerTrench®	同上、Vgsは@ RDSで、（最大）	16 mOhm @ 58A, 10V
電力消費（最大）	135W (Tc)	パッケージング	Tube
パッケージ/ケース	TO-220-3	他の名前	FDP16AN08A0-ND FDP16AN08A0FS
運転温度	-55°C ~ 175°C (TJ)	装着タイプ	Through Hole
水分感受性レベル（MSL）	1 (Unlimited)	鉛フリーステータス/ RoHSステータス	Lead free / RoHS Compliant
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	1857pF @ 25V	ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs	42nC @ 10V
FETタイプ	N-Channel	FET特長	-
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	6V, 10V	ソース電圧（VDSS）にドレイン	75V
詳細な説明	N-Channel 75V 9A (Ta), 58A (Tc) 135W (Tc) Through Hole TO-220-3	電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	9A (Ta), 58A (Tc)

★注文金額が1,000米ドルを超える場合、DHL / FEDEX / UPSによる無料配送。
（集積回路、回路保護、RF / IFおよびRFID、オプトエレクトロニクス、センサー、トランスデューサー、変圧器、アイソレーター、スイッチ、リレーのみ）

★配達時間は、DHL / UPS / FEDEX / TNTによる世界中のほとんどの国への2-4日を必要とします。

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