NSVMUN2233T1G

ON Semiconductor

画像はあくまで参考用です、実用的な製品の仕様を参照してください。

製品の概要

部品型番:	NSVMUN2233T1G
メーカー/ブランド:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
製品の説明	TRANS PREBIAS NPN 230MW SC59-3
仕様書:	NSVMUN2233T1G.pdf
RoHS ステータス	鉛フリー/ RoHS準拠
在庫状況	1336466 pcs stock
配達場所	香港
輸送モード	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 1336466 pcs

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部品型番	NSVMUN2233T1G	メーカー	ON Semiconductor
説明	TRANS PREBIAS NPN 230MW SC59-3	フリーステータス/ RoHS状態	鉛フリー/ RoHS準拠
在庫あり	1336466 pcs	データシート	NSVMUN2233T1G.pdf
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）	100mA	電圧 - ブレークダウン	SC-59-3
IB、IC @ Vce飽和（最大）	50V	シリーズ	-
RoHSステータス	Tape & Reel (TR)	抵抗 - エミッタベース（R2）（オーム）	4.7k
抵抗 - ベース（R1）（オーム）	-	電力 - 最大	230mW
偏光	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	ノイズ指数（F @デシベル標準）	47k
装着タイプ	Surface Mount	水分感受性レベル（MSL）	1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム	10 Weeks	製造元の部品番号	NSVMUN2233T1G
周波数 - トランジション	80 @ 5mA, 10V	拡張された説明	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 230mW Surface Mount SC-59-3
説明	TRANS PREBIAS NPN 230MW SC59-3	Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）	500nA
電流 - コレクタ遮断（最大）	250mV @ 1mA, 10mA	電流 - コレクタ（Ic）（Max）	NPN - Pre-Biased

★注文金額が1,000米ドルを超える場合、DHL / FEDEX / UPSによる無料配送。
（集積回路、回路保護、RF / IFおよびRFID、オプトエレクトロニクス、センサー、トランスデューサー、変圧器、アイソレーター、スイッチ、リレーのみ）

★配達時間は、DHL / UPS / FEDEX / TNTによる世界中のほとんどの国への2-4日を必要とします。

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