| 部品型番 | EPC2012CENGR | メーカー | EPC |
|---|---|---|---|
| 説明 | TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE | フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 在庫あり | 76300 pcs | データシート | EPC2012CENGR.pdf |
| 電圧 - テスト | 100pF @ 100V | 電圧 - ブレークダウン | Die Outline (4-Solder Bar) |
| 同上@ VGS(TH)(最大) | 100 mOhm @ 3A, 5V | 技術 | GaNFET (Gallium Nitride) |
| シリーズ | eGaN® | RoHSステータス | Tape & Reel (TR) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 5A (Ta) | 偏光 | Die |
| 他の名前 | 917-EPC2012CENGRTR | 運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount | 水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
| 製造元の部品番号 | EPC2012CENGR | 入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1nC @ 5V |
| ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 2.5V @ 1mA | FET特長 | N-Channel |
| 拡張された説明 | N-Channel 200V 5A (Ta) Surface Mount Die Outline (4-Solder Bar) | ソース電圧(VDSS)にドレイン | - |
| 説明 | TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE | 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 200V |
| 静電容量比 | - |
| フェデックス | www.FedEx.com | 35.00ドルからの基本送料は、ゾーンと国によって異なります。 |
|---|---|---|
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