| 部品型番 | FDD3670 | メーカー | Fairchild/ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| 説明 | MOSFET N-CH 100V 34A D-PAK | フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 在庫あり | 95824 pcs | データシート | FDD3670.pdf |
| 電圧 - テスト | 2490pF @ 50V | 電圧 - ブレークダウン | TO-252 |
| 同上@ VGS(TH)(最大) | 32 mOhm @ 7.3A, 10V | Vgs(最大) | 6V, 10V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | シリーズ | PowerTrench® |
| RoHSステータス | Digi-Reel® | 同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 34A (Ta) |
| 偏光 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | 他の名前 | FDD3670DKR |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 装着タイプ | Surface Mount |
| 水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) | メーカーの標準リードタイム | 17 Weeks |
| 製造元の部品番号 | FDD3670 | 入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 80nC @ 10V |
| IGBTタイプ | ±20V | ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 4V @ 250µA |
| FET特長 | N-Channel | 拡張された説明 | N-Channel 100V 34A (Ta) 3.8W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount TO-252 |
| ソース電圧(VDSS)にドレイン | - | 説明 | MOSFET N-CH 100V 34A D-PAK |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 100V | 静電容量比 | 3.8W (Ta), 83W (Tc) |
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