| 部品型番 | FQD5N15TM | メーカー | Fairchild/ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| 説明 | MOSFET N-CH 150V 4.3A DPAK | フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 在庫あり | 356325 pcs | データシート | 1.FQD5N15TM.pdf2.FQD5N15TM.pdf |
| 電圧 - テスト | 230pF @ 25V | 電圧 - ブレークダウン | D-Pak |
| 同上@ VGS(TH)(最大) | 800 mOhm @ 2.15A, 10V | Vgs(最大) | 10V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | シリーズ | QFET® |
| RoHSステータス | Tape & Reel (TR) | 同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 4.3A (Tc) |
| 偏光 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | 他の名前 | FQD5N15TM-ND FQD5N15TMTR |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 装着タイプ | Surface Mount |
| 水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) | メーカーの標準リードタイム | 6 Weeks |
| 製造元の部品番号 | FQD5N15TM | 入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 7nC @ 10V |
| IGBTタイプ | ±25V | ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 4V @ 250µA |
| FET特長 | N-Channel | 拡張された説明 | N-Channel 150V 4.3A (Tc) 2.5W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount D-Pak |
| ソース電圧(VDSS)にドレイン | - | 説明 | MOSFET N-CH 150V 4.3A DPAK |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 150V | 静電容量比 | 2.5W (Ta), 30W (Tc) |
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