| 部品型番 | FQP10N20C | メーカー | Fairchild/ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| 説明 | MOSFET N-CH 200V 9.5A TO-220 | フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 在庫あり | 129685 pcs | データシート | 1.FQP10N20C.pdf2.FQP10N20C.pdf |
| 電圧 - テスト | 510pF @ 25V | 電圧 - ブレークダウン | TO-220-3 |
| 同上@ VGS(TH)(最大) | 360 mOhm @ 4.75A, 10V | Vgs(最大) | 10V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | シリーズ | QFET® |
| RoHSステータス | Tube | 同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 9.5A (Tc) |
| 偏光 | TO-220-3 | 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Through Hole | 水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
| メーカーの標準リードタイム | 6 Weeks | 製造元の部品番号 | FQP10N20C |
| 入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 26nC @ 10V | IGBTタイプ | ±30V |
| ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 4V @ 250µA | FET特長 | N-Channel |
| 拡張された説明 | N-Channel 200V 9.5A (Tc) 72W (Tc) Through Hole TO-220-3 | ソース電圧(VDSS)にドレイン | - |
| 説明 | MOSFET N-CH 200V 9.5A TO-220 | 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 200V |
| 静電容量比 | 72W (Tc) |
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