| 部品型番 | IPC100N04S51R2ATMA1 | メーカー | Infineon Technologies |
|---|---|---|---|
| 説明 | MOSFET N-CH 40V 100A 8TDFN | フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 在庫あり | 75118 pcs | データシート | IPC100N04S51R2ATMA1.pdf |
| 電圧 - テスト | 7650pF @ 25V | 電圧 - ブレークダウン | PG-TDSON-8-34 |
| 同上@ VGS(TH)(最大) | 1.2 mOhm @ 50A, 10V | Vgs(最大) | 7V, 10V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | シリーズ | OptiMOS™, Automotive, AEC-Q101 |
| RoHSステータス | Tape & Reel (TR) | 同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 100A |
| 偏光 | 8-PowerTDFN | 他の名前 | IPC100N04S51R2ATMA1TR SP001262620 |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 装着タイプ | Surface Mount |
| 水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) | メーカーの標準リードタイム | 16 Weeks |
| 製造元の部品番号 | IPC100N04S51R2ATMA1 | 入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 131nC @ 10V |
| IGBTタイプ | ±20V | ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 3.5V @ 90µA |
| FET特長 | N-Channel | 拡張された説明 | N-Channel 40V 100A 150W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-34 |
| ソース電圧(VDSS)にドレイン | - | 説明 | MOSFET N-CH 40V 100A 8TDFN |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 40V | 静電容量比 | 150W (Tc) |
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