| 部品型番 | IRLML5203GTRPBF | メーカー | Infineon Technologies |
|---|---|---|---|
| 説明 | MOSFET P-CH 30V 3A SOT-23-3 | フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 在庫あり | 454205 pcs | データシート | IRLML5203GTRPBF.pdf |
| 電圧 - テスト | 510pF @ 25V | 電圧 - ブレークダウン | Micro3™/SOT-23 |
| 同上@ VGS(TH)(最大) | 98 mOhm @ 3A, 10V | Vgs(最大) | 4.5V, 10V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | シリーズ | HEXFET® |
| RoHSステータス | Tape & Reel (TR) | 同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 3A (Ta) |
| 偏光 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 他の名前 | IRLML5203GTRPBF-ND IRLML5203GTRPBFTR SP001567222 |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 装着タイプ | Surface Mount |
| 水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) | メーカーの標準リードタイム | 13 Weeks |
| 製造元の部品番号 | IRLML5203GTRPBF | 入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 14nC @ 10V |
| IGBTタイプ | ±20V | ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 2.5V @ 250µA |
| FET特長 | P-Channel | 拡張された説明 | P-Channel 30V 3A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23 |
| ソース電圧(VDSS)にドレイン | - | 説明 | MOSFET P-CH 30V 3A SOT-23-3 |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 30V | 静電容量比 | 1.25W (Ta) |
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