
| 部品型番 | CSD16570Q5BT | メーカー | N/A |
|---|---|---|---|
| 説明 | MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON | フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 在庫あり | 49651 pcs | データシート | |
| 電圧 - テスト | 14000pF @ 12V | 電圧 - ブレークダウン | 8-VSON (5x6) |
| 同上@ VGS(TH)(最大) | 0.59 mOhm @ 50A, 10V | Vgs(最大) | 4.5V, 10V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | シリーズ | NexFET™ |
| RoHSステータス | Digi-Reel® | 同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 100A (Ta) |
| 偏光 | 8-PowerTDFN | 他の名前 | 296-38335-6 |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 装着タイプ | Surface Mount |
| 水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) | メーカーの標準リードタイム | 12 Weeks |
| 製造元の部品番号 | CSD16570Q5BT | 入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 250nC @ 10V |
| IGBTタイプ | ±20V | ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 1.9V @ 250µA |
| FET特長 | N-Channel | 拡張された説明 | N-Channel 25V 100A (Ta) 3.2W (Ta), 195W (Tc) Surface Mount 8-VSON (5x6) |
| ソース電圧(VDSS)にドレイン | - | 説明 | MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 25V | 静電容量比 | 3.2W (Ta), 195W (Tc) |
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