| 部品型番 | APT6017LLLG | メーカー | Microsemi Corporation |
|---|---|---|---|
| 説明 | MOSFET N-CH 600V 35A TO-264 | フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 在庫あり | 9395 pcs | データシート | APT6017LLLG.pdf |
| 電圧 - テスト | 4500pF @ 25V | 電圧 - ブレークダウン | TO-264 [L] |
| 同上@ VGS(TH)(最大) | 170 mOhm @ 17.5A, 10V | 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| シリーズ | POWER MOS 7® | RoHSステータス | Tube |
| 同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 35A (Tc) | 偏光 | TO-264-3, TO-264AA |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 装着タイプ | Through Hole |
| 水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) | 製造元の部品番号 | APT6017LLLG |
| 入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 100nC @ 10V | ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 5V @ 2.5mA |
| FET特長 | N-Channel | 拡張された説明 | N-Channel 600V 35A (Tc) 500W (Tc) Through Hole TO-264 [L] |
| ソース電圧(VDSS)にドレイン | - | 説明 | MOSFET N-CH 600V 35A TO-264 |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 600V | 静電容量比 | 500W (Tc) |
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