JAN1N649-1

Microsemi Corporation

画像はあくまで参考用です、実用的な製品の仕様を参照してください。

製品の概要

In Stock 5176 pcs

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部品型番	JAN1N649-1	メーカー	Microsemi Corporation
説明	DIODE GEN PURP 600V 400MA DO35	フリーステータス/ RoHS状態	リード/ RoHS非対応
在庫あり	5176 pcs	データシート	JAN1N649-1.pdf
電圧 - ピーク逆（最大）	Standard	電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@	400mA
電圧 - ブレークダウン	DO-35	シリーズ	Military, MIL-PRF-19500/240
RoHSステータス	Bulk	逆回復時間（trrの）	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
もし、F @抵抗	-	偏光	DO-204AH, DO-35, Axial
他の名前	1086-15995 1086-15995-MIL	装着タイプ	Through Hole
水分感受性レベル（MSL）	1 (Unlimited)	製造元の部品番号	JAN1N649-1
拡張された説明	Diode Standard 600V 400mA Through Hole DO-35	ダイオード構成	50nA @ 600V
説明	DIODE GEN PURP 600V 400MA DO35	電流 - 漏れ@ Vrとリバース	1V @ 400mA
電流 - 平均整流（イオ）（ダイオード当たり）	600V	Vrと、F @キャパシタンス	-65°C ~ 175°C

★注文金額が1,000米ドルを超える場合、DHL / FEDEX / UPSによる無料配送。
（集積回路、回路保護、RF / IFおよびRFID、オプトエレクトロニクス、センサー、トランスデューサー、変圧器、アイソレーター、スイッチ、リレーのみ）

★配達時間は、DHL / UPS / FEDEX / TNTによる世界中のほとんどの国への2-4日を必要とします。

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