| 部品型番 | PMXB360ENEAZ | メーカー | Nexperia USA Inc. |
|---|---|---|---|
| 説明 | MOSFET N-CH 80V 1.1A DFN1010D-3 | フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 在庫あり | 249856 pcs | データシート | PMXB360ENEAZ.pdf |
| 電圧 - テスト | 130pF @ 40V | 電圧 - ブレークダウン | DFN1010D-3 |
| 同上@ VGS(TH)(最大) | 450 mOhm @ 1.1A, 10V | 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| シリーズ | - | RoHSステータス | Tape & Reel (TR) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 1.1A (Ta) | 偏光 | 3-XDFN Exposed Pad |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 装着タイプ | Surface Mount |
| 水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) | メーカーの標準リードタイム | 13 Weeks |
| 製造元の部品番号 | PMXB360ENEAZ | 入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 4.5nC @ 10V |
| ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 2.7V @ 250µA | FET特長 | N-Channel |
| 拡張された説明 | N-Channel 80V 1.1A (Ta) 400mW (Ta), 6.25W (Tc) Surface Mount DFN1010D-3 | ソース電圧(VDSS)にドレイン | - |
| 説明 | MOSFET N-CH 80V 1.1A DFN1010D-3 | 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 80V |
| 静電容量比 | 400mW (Ta), 6.25W (Tc) |
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