| 部品型番 | SIE810DF-T1-E3 | メーカー | Vishay Siliconix |
|---|---|---|---|
| 説明 | MOSFET N-CH 20V 60A 10-POLARPAK | フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 在庫あり | 56761 pcs | データシート | SIE810DF-T1-E3.pdf |
| 電圧 - テスト | 13000pF @ 10V | 電圧 - ブレークダウン | 10-PolarPAK® (L) |
| 同上@ VGS(TH)(最大) | 1.4 mOhm @ 25A, 10V | 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| シリーズ | TrenchFET® | RoHSステータス | Tape & Reel (TR) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 60A (Tc) | 偏光 | 10-PolarPAK® (L) |
| 他の名前 | SIE810DF-T1-E3TR SIE810DFT1E3 |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount | 水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
| メーカーの標準リードタイム | 24 Weeks | 製造元の部品番号 | SIE810DF-T1-E3 |
| 入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 300nC @ 10V | ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 2V @ 250µA |
| FET特長 | N-Channel | 拡張された説明 | N-Channel 20V 60A (Tc) 5.2W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount 10-PolarPAK® (L) |
| ソース電圧(VDSS)にドレイン | - | 説明 | MOSFET N-CH 20V 60A 10-POLARPAK |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 20V | 静電容量比 | 5.2W (Ta), 125W (Tc) |
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