| 部品型番 | SUP85N10-10-E3 | メーカー | Vishay Siliconix |
|---|---|---|---|
| 説明 | MOSFET N-CH 100V 85A TO220AB | フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 在庫あり | 5887 pcs | データシート | 1.SUP85N10-10-E3.pdf2.SUP85N10-10-E3.pdf |
| 電圧 - テスト | 6550pF @ 25V | 電圧 - ブレークダウン | TO-220AB |
| 同上@ VGS(TH)(最大) | 10.5 mOhm @ 30A, 10V | Vgs(最大) | 4.5V, 10V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | シリーズ | TrenchFET® |
| RoHSステータス | Tape & Reel (TR) | 同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 85A (Tc) |
| 偏光 | TO-220-3 | 他の名前 | SUP85N10-10-E3TR |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 装着タイプ | Through Hole |
| 水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) | 製造元の部品番号 | SUP85N10-10-E3 |
| 入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 160nC @ 10V | IGBTタイプ | ±20V |
| ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 3V @ 250µA | FET特長 | N-Channel |
| 拡張された説明 | N-Channel 100V 85A (Tc) 3.75W (Ta), 250W (Tc) Through Hole TO-220AB | ソース電圧(VDSS)にドレイン | - |
| 説明 | MOSFET N-CH 100V 85A TO220AB | 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 100V |
| 静電容量比 | 3.75W (Ta), 250W (Tc) |
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