ダイオードブリッジ整流器
関連ブランド
- TSC (Taiwan Semiconductor)
- - ディスクリートパワーレクティファイアーのコアコンピタンスで37年以上にわたり認知されてきたTaiwan Semiconductorは、トレンチショットキ、アナログIC、LEDドライバIC、パワートランジスタ、MOSFETを含む製品ポートフォリオを拡大し、現在では1つのソースから完全なソリューションを提供しています。台湾の半導体製品は、自動車、コンピューター、民生用、産業用、電気通信および太陽光発電などのエレクトロニクス業界で幅広く使用されています。
革新的な製造能力の戦略的拡大と効率的な半導体ソリューションの先駆けに焦点を当てて、台湾半導体は、成功し続けるビジネス関係......ディテール
-
KBP302G C2G
TSC (Taiwan Semiconductor)
説明:BRIDGE DIODE 3A 100V GPP KBP
-
TS35P07GHC2G
TSC (Taiwan Semiconductor)
説明:BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 35A TS-6P
-
DBLS156GHRDG
TSC (Taiwan Semiconductor)
説明:BRIDGE RECT 1P 800V 1.5A DBLS
-
TS6K60HD3G
TSC (Taiwan Semiconductor)
説明:BRIDGE RECT 1PHASE 600V 6A TS4K
- IXYS Corporation
- - IXYS社は、低オン抵抗パワーMOSFET、超高速スイッチングIGBT、高速リカバリダイオード(FRED)、SCRおよびダイオードモジュール、整流器ブリッジ、パワーインターフェイスICなど、幅広いハイパワー半導体製品を提供しています。
......ディテール
-
VUO52-18NO1
IXYS Corporation
説明:RECT BRIDGE 3PH 54A 1800V V1-A
-
VUB145-16NO1
IXYS Corporation
説明:RECT BRIDGE 3PH 1600V 145A E2
-
VBO54-08NO7
IXYS Corporation
説明:DIODE BRIDGE 800V 54A ECO-PAC1
-
VUI72-16NOXT
IXYS Corporation
説明:DIODE BRIDGE 1600V 75A
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- - ビシェイの製品ポートフォリオは、ディスクリート半導体(ダイオード、MOSFET、オプトエレクトロニクス)と受動部品(抵抗、インダクタ、コンデンサ)の比類なき集積です。これらのコンポーネントは、産業、コンピューティング、自動車、消費者、電気通信、軍事、航空宇宙、および医療市場における事実上すべてのタイプの電子デバイスおよび機器に使用されています。ビシェイはOcean-Components.comの主要パートナーであることを誇りに思っています。
......ディテール
-
GBPC1210-E4/51
Electro-Films (EFI) / Vishay
説明:RECTIFIER BRIDGE 12A 1000V GBPC
-
3N256-M4/51
Electro-Films (EFI) / Vishay
説明:RECT BRIDGE 1PHASE 400V 2A KBPM
-
BU12085S-E3/45
Electro-Films (EFI) / Vishay
説明:RECTIFIER BRIDGE 800V 12A BU-5S
-
BU2510-M3/51
Electro-Films (EFI) / Vishay
説明:RECTIFIER BRIDGE 25A 1000V BU
- Diodes Incorporated
- - Diodes Incorporatedは、幅広いディスクリート、ロジック、アナログ、ミックスド・シグナルの半導体市場において、高品質の特定用途向け標準製品を提供する大手グローバル・メーカーです。 2015年11月、Pericom SemiconductorはDiodes Incorporatedの一員になり、シリアル高速スイッチング、シグナル・インテグリティ、接続性、タイミング・ソリューションでポートフォリオを強化しました。
......ディテール
-
GBPC2508
Diodes Incorporated
説明:RECT BRIDGE GPP 800V 25A GBPC
-
DF15005M
Diodes Incorporated
説明:RECT BRIDGE GPP 1.5A 50V DFM
-
GBJ804
Diodes Incorporated
説明:RECT BRIDGE GPP 400V 8A GBJ
-
GBJ801
Diodes Incorporated
説明:RECT BRIDGE GPP 100V 8A GBJ
- GeneSiC Semiconductor
- GeneSiCは、シリコンカーバイド技術のパイオニアであり世界的リーダーであり、高性能シリコン技術にも投資しています。産業および防衛システムの世界的大手メーカーは、製品の性能と効率を高めるためにGeneSiCの技術に依存しています。
......ディテール
-
GBU10D
GeneSiC Semiconductor
説明:DIODE BRIDGE 200V 10A GBU
-
KBPC3504T
GeneSiC Semiconductor
説明:DIODE BRIDGE 400V 35A KBPC-T/W
-
GBPC5001T
GeneSiC Semiconductor
説明:DIODE BRIDGE 100V 50A GBPC-T/W
-
KBU1001
GeneSiC Semiconductor
説明:DIODE BRIDGE 100V 10A KBU
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- - オン・セミコンダクター(ナスダック:ON)は、エネルギー効率の高い革新を推進し、お客様がグローバルなエネルギー使用を削減できるようにします。自動車、通信、コンピューティング、コンシューマ、産業、LED照明、医療、軍事/航空宇宙および電力分野における独自の設計上の課題を解決するための包括的なエネルギー効率の高い電力/信号管理、ロジック、ディスクリートおよびカスタムソリューションのポートフォリオを提供しています供給アプリケーション。オン・セミコンダクターは、北米、欧州、アジア太平洋地域の主要市場に対応し、信頼性が高く、ワールドクラスのサプライチェーン・品質プログラム、製造施設、営業所、設計セ......ディテール
-
MB4S
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
説明:IC RECT BRIDGE 0.5A 400V 4SOIC
-
DFB2580
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
説明:BRIDGE RECT 800V 25A TS-6P
-
W10G
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
説明:RECT BRIDGE GPP 1.5A 1000V WOB