ダイオードブリッジ整流器
関連ブランド
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- - ビシェイの製品ポートフォリオは、ディスクリート半導体(ダイオード、MOSFET、オプトエレクトロニクス)と受動部品(抵抗、インダクタ、コンデンサ)の比類なき集積です。これらのコンポーネントは、産業、コンピューティング、自動車、消費者、電気通信、軍事、航空宇宙、および医療市場における事実上すべてのタイプの電子デバイスおよび機器に使用されています。ビシェイはOcean-Components.comの主要パートナーであることを誇りに思っています。
......ディテール
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GBLA06-M3/45
Electro-Films (EFI) / Vishay
説明:BRIDGE RECT 4A GPP 600V GBL
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GSIB6A60-E3/45
Electro-Films (EFI) / Vishay
説明:DIODE 6A 600V GSIB-5S
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DF005MA-E3/45
Electro-Films (EFI) / Vishay
説明:DIODE GPP 1A 50V DIP
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60MT160KB
Electro-Films (EFI) / Vishay
説明:RECT BRIDGE 1600V 60A MTK
- Comchip Technology
- - Comchip Technology Corporationは、SMDディスクリート半導体の設計と製造をリードしています。革新的な研究と特許取得済みの製造能力により、ブリッジ整流器、高速効率整流器、スイッチングダイオード、ツェナーダイオード、ショットキーダイオード、TVS、ESDサージ保護器を提供しています。アプリケーションに適したダイオードがあります。 Comchip Technologyは、RoHS準拠のDFN /フラットチップパッケージを標準化した最初のメーカーで、金端子を使用することにより、Tin-Whiskerの可能性をゼロにしました。 DFNパッケージは、SOD-323F(......ディテール
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KBPC2504-G
Comchip Technology
説明:RECTIFIER BRIDGE 25A 400V KBPC
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GBU2508-G
Comchip Technology
説明:RECTIFIER BRIDGE 25A 800V GBU
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KBU35005-G
Comchip Technology
説明:RECT BRIDGE CELL 50V 35A KBU
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GBJ1010-G
Comchip Technology
説明:BRIDGE DIODE 10A 1000V GBJ
- TSC (Taiwan Semiconductor)
- - ディスクリートパワーレクティファイアーのコアコンピタンスで37年以上にわたり認知されてきたTaiwan Semiconductorは、トレンチショットキ、アナログIC、LEDドライバIC、パワートランジスタ、MOSFETを含む製品ポートフォリオを拡大し、現在では1つのソースから完全なソリューションを提供しています。台湾の半導体製品は、自動車、コンピューター、民生用、産業用、電気通信および太陽光発電などのエレクトロニクス業界で幅広く使用されています。
革新的な製造能力の戦略的拡大と効率的な半導体ソリューションの先駆けに焦点を当てて、台湾半導体は、成功し続けるビジネス関係......ディテール
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GBPC3508 T0G
TSC (Taiwan Semiconductor)
説明:BRIDGE RECT 1PHASE 800V 35A GBPC
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KBP203G C2
TSC (Taiwan Semiconductor)
説明:BRIDGE DIODE 2A 200V GPP KBP
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KBP156G C2G
TSC (Taiwan Semiconductor)
説明:BRIDGE DIODE 1.5A 800V GPP KBP
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GBL204 D2G
TSC (Taiwan Semiconductor)
説明:BRIDGE RECT 1PHASE 400V 2A GBL
- Diodes Incorporated
- - Diodes Incorporatedは、幅広いディスクリート、ロジック、アナログ、ミックスド・シグナルの半導体市場において、高品質の特定用途向け標準製品を提供する大手グローバル・メーカーです。 2015年11月、Pericom SemiconductorはDiodes Incorporatedの一員になり、シリアル高速スイッチング、シグナル・インテグリティ、接続性、タイミング・ソリューションでポートフォリオを強化しました。
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MB152W
Diodes Incorporated
説明:RECTIFIER BRIDGE 15A 200V MB-35
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DF1510S
Diodes Incorporated
説明:RECTIFIER BRIDGE 1000V 1.5A DF-S
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GBJ8005
Diodes Incorporated
説明:RECT BRIDGE GPP 50V 8A GBJ
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KBJ4005G
Diodes Incorporated
説明:RECT BRIDGE GPP 4A 50V KBJ
- GeneSiC Semiconductor
- GeneSiCは、シリコンカーバイド技術のパイオニアであり世界的リーダーであり、高性能シリコン技術にも投資しています。産業および防衛システムの世界的大手メーカーは、製品の性能と効率を高めるためにGeneSiCの技術に依存しています。
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GBU15K
GeneSiC Semiconductor
説明:DIODE BRIDGE 800V 15A GBU
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KBPC5006W
GeneSiC Semiconductor
説明:DIODE BRIDGE 600V 50A KBPC-W
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KBL602G
GeneSiC Semiconductor
説明:DIODE BRIDGE 100V 6A KBL
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KBPC25010T
GeneSiC Semiconductor
説明:DIODE BRIDGE 1000V 25A KBPC-T/W
- IXYS Corporation
- - IXYS社は、低オン抵抗パワーMOSFET、超高速スイッチングIGBT、高速リカバリダイオード(FRED)、SCRおよびダイオードモジュール、整流器ブリッジ、パワーインターフェイスICなど、幅広いハイパワー半導体製品を提供しています。
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VUE35-12NO7
IXYS Corporation
説明:DIODE BRIDGE FAST 1200V ECO-PAC1
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VBO25-12NO2
IXYS Corporation
説明:DIODE BRIDGE 31A 1200V STD FO-A
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VBO68-16NO7
IXYS Corporation
説明:DIODE BRIDGE 1600V 68A ECO-PAC1