トランジスタ-igbt-シングル
関連ブランド
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- 1999年4月1日、シーメンス半導体はインフィニオンテクノロジーズになりました。マイクロエレクトロニクスの競争が激しく変化し続ける世界での成功に向けて、ダイナミックでフレキシブルな会社。
インフィニオンは、さまざまなマイクロエレクトロニクスアプリケーションに使用される幅広い半導体の世界的な設計、製造、サプライヤーとして世界をリードしています。インフィニオンの製品ポートフォリオは、デジタル、ミックスド・シグナル、アナログ集積回路、ディスクリート半導体製品などのロジック製品で構成されています。......ディテール
-
IRG4PC20U
International Rectifier (Infineon Technologies)
説明:IGBT 600V 13A 60W TO247AC
-
IRGS4640DPBF
International Rectifier (Infineon Technologies)
説明:DIODE 600V 40A D2PAK
-
IRGP4640DPBF
Infineon Technologies
説明:IGBT 600V 65A 250W TO247AD
-
IGP30N65H5XKSA1
International Rectifier (Infineon Technologies)
説明:IGBT TRENCH 650V 55A TO220-3
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- - オン・セミコンダクター(ナスダック:ON)は、エネルギー効率の高い革新を推進し、お客様がグローバルなエネルギー使用を削減できるようにします。自動車、通信、コンピューティング、コンシューマ、産業、LED照明、医療、軍事/航空宇宙および電力分野における独自の設計上の課題を解決するための包括的なエネルギー効率の高い電力/信号管理、ロジック、ディスクリートおよびカスタムソリューションのポートフォリオを提供しています供給アプリケーション。オン・セミコンダクターは、北米、欧州、アジア太平洋地域の主要市場に対応し、信頼性が高く、ワールドクラスのサプライチェーン・品質プログラム、製造施設、営業所、設計セ......ディテール
-
FGH40N60SMD
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
説明:IGBT 600V 80A 349W TO-247-3
-
HGTP2N120CN
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
説明:IGBT 1200V 13A 104W TO220AB
-
HGTG30N60C3D
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
説明:IGBT 600V 63A 208W TO247
-
ISL9V3036D3ST
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
説明:IGBT 360V 21A 150W TO252AA
- IXYS Corporation
- - IXYS社は、低オン抵抗パワーMOSFET、超高速スイッチングIGBT、高速リカバリダイオード(FRED)、SCRおよびダイオードモジュール、整流器ブリッジ、パワーインターフェイスICなど、幅広いハイパワー半導体製品を提供しています。
......ディテール
-
IXGH32N60CD1
IXYS Corporation
説明:IGBT 600V 60A 200W TO247AD
-
IXGX100N170
IXYS Corporation
説明:IGBT 1700V 170A 830W PLUS247
-
IXGX120N60B
IXYS Corporation
説明:IGBT 600V 200A 660W TO247
-
IXSK35N120AU1
IXYS Corporation
説明:IGBT 1200V 70A 300W TO264
- STMicroelectronics
- - STマイクロエレクトロニクスは、世界的に独立した半導体企業であり、マイクロエレクトロニクス・アプリケーションのさまざまな分野で半導体ソリューションを開発および提供するリーダーです。シリコンとシステムの専門知識、製造力、知的財産(IP)ポートフォリオ、戦略的パートナーの比類なき組み合わせにより、当社はシステムオンチップ(SoC)技術の最前線に位置し、今日のコンバージェンストレンドを可能にする重要な役割を果たします。
......ディテール