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IXYS Corporation: - IXYS社は、低オン抵抗パワーMOSFET、超高速スイッチングIGBT、高速リカバリダイオード（FRED）、SCRおよびダイオードモジュール、整流器ブリッジ、パワーインターフェイスICなど、幅広いハイパワー半導体製品を提供しています。
......ディテール

IXGT12N120A2D1 IXYS Corporation 説明:IGBT 1200V TO268
IXGQ180N33TCD1 IXYS Corporation 説明:IGBT 330V 180A TO3P
IXGT30N120BD1 IXYS Corporation 説明:IGBT 1200V TO268
IXYK120N120C3 IXYS Corporation 説明:IGBT 1200V 240A 1500W TO264

AMI Semiconductor / ON Semiconductor: - オン・セミコンダクター（ナスダック：ON）は、エネルギー効率の高い革新を推進し、お客様がグローバルなエネルギー使用を削減できるようにします。自動車、通信、コンピューティング、コンシューマ、産業、LED照明、医療、軍事/航空宇宙および電力分野における独自の設計上の課題を解決するための包括的なエネルギー効率の高い電力/信号管理、ロジック、ディスクリートおよびカスタムソリューションのポートフォリオを提供しています供給アプリケーション。オン・セミコンダクターは、北米、欧州、アジア太平洋地域の主要市場に対応し、信頼性が高く、ワールドクラスのサプライチェーン・品質プログラム、製造施設、営業所、設計セ......ディテール

FGP20N6S2 AMI Semiconductor / ON Semiconductor 説明:IGBT 600V 28A 125W TO220AB
NGTB30N120IHLWG AMI Semiconductor / ON Semiconductor 説明:IGBT 1200V 30A TO247
NGTD14T65F2WP AMI Semiconductor / ON Semiconductor 説明:IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
NGTB50N120FL2WG AMI Semiconductor / ON Semiconductor 説明:IGBT 1200V 100A 535W TO247

International Rectifier (Infineon Technologies): 1999年4月1日、シーメンス半導体はインフィニオンテクノロジーズになりました。マイクロエレクトロニクスの競争が激しく変化し続ける世界での成功に向けて、ダイナミックでフレキシブルな会社。
インフィニオンは、さまざまなマイクロエレクトロニクスアプリケーションに使用される幅広い半導体の世界的な設計、製造、サプライヤーとして世界をリードしています。インフィニオンの製品ポートフォリオは、デジタル、ミックスド・シグナル、アナログ集積回路、ディスクリート半導体製品などのロジック製品で構成されています。......ディテール

AIGW50N65H5XKSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) 説明:IGBT 650V TO247-3
IRG7CH75K10EF-R International Rectifier (Infineon Technologies) 説明:IGBT 1200V ULTRA FAST DIE
IRG7PG35U-EPBF International Rectifier (Infineon Technologies) 説明:IGBT 1000V 55A 210W TO247AD
SKW30N60FKSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) 説明:IGBT 600V 41A 250W TO247-3

Microsemi: - Microsemi Corporation（ナスダック：MSCC）は、航空宇宙/防衛、通信、データセンター、産業市場向けの包括的な半導体/システムソリューションを提供しています。製品には、高性能で放射線硬化されたアナログ混在信号集積回路、FPGA、SoC、ASICなどがあります。電力管理製品;タイミングと同期デバイスと正確な時間ソリューションを提供し、世界の時間基準を設定します。音声処理装置; RFソリューションディスクリート部品;エンタープライズストレージおよび通信ソリューション、セキュリティテクノロジ、スケーラブルな不正侵入防止製品、イーサネットソリューション。パワー・オーバー......ディテール

APT25GR120SD15 Microsemi 説明:IGBT 1200V 75A 521W D3PAK
APT95GR65B2 Microsemi 説明:IGBT 650V 208A 892W T-MAX
APT25GR120S Microsemi 説明:IGBT 1200V 75A 521W D3PAK
APT50GN120L2DQ2G Microsemi 説明:IGBT 1200V 134A 543W TO264

STMicroelectronics: - STマイクロエレクトロニクスは、世界的に独立した半導体企業であり、マイクロエレクトロニクス・アプリケーションのさまざまな分野で半導体ソリューションを開発および提供するリーダーです。シリコンとシステムの専門知識、製造力、知的財産（IP）ポートフォリオ、戦略的パートナーの比類なき組み合わせにより、当社はシステムオンチップ（SoC）技術の最前線に位置し、今日のコンバージェンストレンドを可能にする重要な役割を果たします。
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STGD10NC60KDT4 STMicroelectronics 説明:IGBT 600V 20A 62W DPAK
STGWT30H65FB STMicroelectronics 説明:IGBT 650V 30A 260W TO3PL
STGW35NC120HD STMicroelectronics 説明:IGBT 1200V 60A 235W TO247
STGW30NC60VD STMicroelectronics 説明:IGBT 600V 80A 250W TO247

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: IXGH25N100U1; メーカー: IXYS Corporation; 説明: IGBT 1000V 50A 200W TO247AD; 在庫あり: 5986 pcs; ダウンロードセンター: IXGH25N100U1.pdf; RFQ

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