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International Rectifier (Infineon Technologies): 1999年4月1日、シーメンス半導体はインフィニオンテクノロジーズになりました。マイクロエレクトロニクスの競争が激しく変化し続ける世界での成功に向けて、ダイナミックでフレキシブルな会社。
インフィニオンは、さまざまなマイクロエレクトロニクスアプリケーションに使用される幅広い半導体の世界的な設計、製造、サプライヤーとして世界をリードしています。インフィニオンの製品ポートフォリオは、デジタル、ミックスド・シグナル、アナログ集積回路、ディスクリート半導体製品などのロジック製品で構成されています。......ディテール

IRG8CH184K10F International Rectifier (Infineon Technologies) 説明:IGBT CHIP WAFER
IKA15N65ET6XKSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) 説明:IGBT 650V 15A TO220-3
AIKB20N60CTATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) 説明:IC DISCRETE 600V TO263-3
IRGB15B60KDPBF International Rectifier (Infineon Technologies) 説明:IGBT 600V 31A 208W TO220AB

AMI Semiconductor / ON Semiconductor: - オン・セミコンダクター（ナスダック：ON）は、エネルギー効率の高い革新を推進し、お客様がグローバルなエネルギー使用を削減できるようにします。自動車、通信、コンピューティング、コンシューマ、産業、LED照明、医療、軍事/航空宇宙および電力分野における独自の設計上の課題を解決するための包括的なエネルギー効率の高い電力/信号管理、ロジック、ディスクリートおよびカスタムソリューションのポートフォリオを提供しています供給アプリケーション。オン・セミコンダクターは、北米、欧州、アジア太平洋地域の主要市場に対応し、信頼性が高く、ワールドクラスのサプライチェーン・品質プログラム、製造施設、営業所、設計セ......ディテール

NGTB25N120IHLWG AMI Semiconductor / ON Semiconductor 説明:IGBT 1200V 50A 192W TO247-3
SGL50N60RUFDTU AMI Semiconductor / ON Semiconductor 説明:IGBT 600V 80A 250W TO264
HGTG20N60B3D AMI Semiconductor / ON Semiconductor 説明:IGBT 600V 40A 165W TO247
SGL160N60UFTU AMI Semiconductor / ON Semiconductor 説明:IGBT 600V 160A 250W TO3PF

IXYS Corporation: - IXYS社は、低オン抵抗パワーMOSFET、超高速スイッチングIGBT、高速リカバリダイオード（FRED）、SCRおよびダイオードモジュール、整流器ブリッジ、パワーインターフェイスICなど、幅広いハイパワー半導体製品を提供しています。
......ディテール

IXSH50N60B IXYS Corporation 説明:IGBT 600V 75A 250W TO247
IXYA8N90C3D1 IXYS Corporation 説明:IGBT 900V 20A 125W C3 TO-263AA
IXGA20N120 IXYS Corporation 説明:IGBT 1200V 40A 150W TO263
IXXN200N65A4 IXYS Corporation 説明:IGBT

STMicroelectronics: - STマイクロエレクトロニクスは、世界的に独立した半導体企業であり、マイクロエレクトロニクス・アプリケーションのさまざまな分野で半導体ソリューションを開発および提供するリーダーです。シリコンとシステムの専門知識、製造力、知的財産（IP）ポートフォリオ、戦略的パートナーの比類なき組み合わせにより、当社はシステムオンチップ（SoC）技術の最前線に位置し、今日のコンバージェンストレンドを可能にする重要な役割を果たします。
......ディテール

STGW20V60F STMicroelectronics 説明:IGBT 600V 40A 167W TO247
STGB12NB60KDT4 STMicroelectronics 説明:IGBT 600V 30A 125W D2PAK
STGF30M65DF2 STMicroelectronics 説明:IGBT TRENCH 650V 60A TO220FP
STGP3NC120HD STMicroelectronics 説明:IGBT 1200V 14A 75W TO220

Microsemi: - Microsemi Corporation（ナスダック：MSCC）は、航空宇宙/防衛、通信、データセンター、産業市場向けの包括的な半導体/システムソリューションを提供しています。製品には、高性能で放射線硬化されたアナログ混在信号集積回路、FPGA、SoC、ASICなどがあります。電力管理製品;タイミングと同期デバイスと正確な時間ソリューションを提供し、世界の時間基準を設定します。音声処理装置; RFソリューションディスクリート部品;エンタープライズストレージおよび通信ソリューション、セキュリティテクノロジ、スケーラブルな不正侵入防止製品、イーサネットソリューション。パワー・オーバー......ディテール

APT13GP120KG Microsemi 説明:IGBT 1200V 41A 250W TO220
APT80GA90B Microsemi 説明:IGBT 900V 145A 625W TO247
APT50GP60LDLG Microsemi 説明:IGBT 600V 150A 625W TO264

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: IRGB4640DPBF; メーカー: International Rectifier (Infineon Technologies); 説明: DIODE 600V 40A TO-220; 在庫あり: 4653 pcs; ダウンロードセンター: IRGB4640DPBF.pdf; RFQ

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: APT50GP60LDLG; メーカー: Microsemi; 説明: IGBT 600V 150A 625W TO264; 在庫あり: 5629 pcs; ダウンロードセンター: APT50GP60LDLG.pdf; RFQ

: RJH60D6DPK-00#T0; メーカー: Renesas Electronics America; 説明: IGBT 600V 80A 260W TO3P; 在庫あり: 5770 pcs; ダウンロードセンター: RJH60D6DPK-00#T0.pdf; RFQ

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