SiC整流器

STMicroelectronicsのクイックシリコンカーバイド構造ショットキーダイオード

STMicroelectronicsの炭化ケイ素構造ショットキーダイオードのスイッチングにより、設計者はより高いレベルの効率と電力密度を実現できます。 STの電流定格2 A〜40 AをカバーするSTの650 Vおよび1200 V SiCダイオードファミリには、表面実装DPAK HV（高電圧）およびD²PAKの産業用専用および自動車認定AEC-Q101デバイス、またはスルー穴TO-220ACおよびTO-247LL（ロングリード）パッケージ。

STの1200 Vシリコンカーバイド（SiC）JBS（ジャンクションバリアショットキー）ダイオードの範囲は、高性能志向アプリケーション向けの優れた効率、軽量、小型、および改善された熱特性に対する設計者のニーズを満たします。

優れた順方向電圧（低V_F）と最先端の堅牢性を備えたSTの1200 V SiCダイオードは、動作温度を下げ、アプリケーションの寿命を延ばしながら、より低い電流定格で高効率と信頼性を実現するためのさらなる自由度を提供します。これらは、SMPS、UPS、ソーラー、モータードライブなど、極端な電力密度と効率が必要なすべてのスイッチモードコンバーターとインバーターに完全に適合します。

STの1200 V SiCダイオードファミリには、2 Aから40 Aまでの電流定格をカバーする、表面実装DPAK HV（高電圧）およびD²PAK、またはスルーホールTOの産業専用および自動車認定AEC-Q101デバイスが含まれます-220ACおよびTO-247LL（ロングリード）パッケージ。

STの1200 V SiCは、高い規格と小さなフォームファクターを実現します。