| 部品型番 | BD809G | メーカー | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| 説明 | TRANS NPN 80V 10A TO-220AB | フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 在庫あり | 130507 pcs | データシート | BD809G.pdf |
| 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大) | 80V | IB、IC @ Vce飽和(最大) | 1.1V @ 300mA, 3A |
| トランジスタ型式 | NPN | サプライヤデバイスパッケージ | TO-220AB |
| シリーズ | - | 電力 - 最大 | 90W |
| パッケージング | Tube | パッケージ/ケース | TO-220-3 |
| 他の名前 | BD809G-ND BD809GOS |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Through Hole | 水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
| メーカーの標準リードタイム | 2 Weeks | 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
| 周波数 - トランジション | 1.5MHz | 詳細な説明 | Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 10A 1.5MHz 90W Through Hole TO-220AB |
| Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小) | 15 @ 4A, 2V | 電流 - コレクタ遮断(最大) | 1mA (ICBO) |
| 電流 - コレクタ(Ic)(Max) | 10A |
| フェデックス | www.FedEx.com | 35.00ドルからの基本送料は、ゾーンと国によって異なります。 |
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