BS108ZL1G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

画像はあくまで参考用です、実用的な製品の仕様を参照してください。

製品の概要

部品型番:	BS108ZL1G
メーカー/ブランド:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
製品の説明	MOSFET N-CH 200V 0.25A TO-92
仕様書:	BS108ZL1G.pdf
RoHS ステータス	鉛フリー/ RoHS準拠
在庫状況	5101 pcs stock
配達場所	香港
輸送モード	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5101 pcs

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部品型番	BS108ZL1G	メーカー	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
説明	MOSFET N-CH 200V 0.25A TO-92	フリーステータス/ RoHS状態	鉛フリー/ RoHS準拠
在庫あり	5101 pcs	データシート	BS108ZL1G.pdf
同上@ VGS（TH）（最大）	1.5V @ 1mA	Vgs（最大）	±20V
技術	MOSFET (Metal Oxide)	サプライヤデバイスパッケージ	TO-92-3
シリーズ	-	同上、Vgsは@ RDSで、（最大）	8 Ohm @ 100mA, 2.8V
電力消費（最大）	350mW (Ta)	パッケージング	Tape & Box (TB)
パッケージ/ケース	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)	他の名前	BS108ZL1GOS BS108ZL1GOS-ND BS108ZL1GOSTB
運転温度	-55°C ~ 150°C (TJ)	装着タイプ	Through Hole
水分感受性レベル（MSL）	1 (Unlimited)	鉛フリーステータス/ RoHSステータス	Lead free / RoHS Compliant
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	150pF @ 25V	FETタイプ	N-Channel
FET特長	-	駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	2V, 2.8V
ソース電圧（VDSS）にドレイン	200V	詳細な説明	N-Channel 200V 250mA (Ta) 350mW (Ta) Through Hole TO-92-3
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	250mA (Ta)

★注文金額が1,000米ドルを超える場合、DHL / FEDEX / UPSによる無料配送。
（集積回路、回路保護、RF / IFおよびRFID、オプトエレクトロニクス、センサー、トランスデューサー、変圧器、アイソレーター、スイッチ、リレーのみ）

★配達時間は、DHL / UPS / FEDEX / TNTによる世界中のほとんどの国への2-4日を必要とします。

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