BVSS123LT1G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

画像はあくまで参考用です、実用的な製品の仕様を参照してください。

製品の概要

部品型番:	BVSS123LT1G
メーカー/ブランド:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
製品の説明	MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23-3
仕様書:	BVSS123LT1G.pdf
RoHS ステータス	鉛フリー/ RoHS準拠
在庫状況	839550 pcs stock
配達場所	香港
輸送モード	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 839550 pcs

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部品型番	BVSS123LT1G	メーカー	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
説明	MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23-3	フリーステータス/ RoHS状態	鉛フリー/ RoHS準拠
在庫あり	839550 pcs	データシート	BVSS123LT1G.pdf
同上@ VGS（TH）（最大）	2.8V @ 1mA	Vgs（最大）	±20V
技術	MOSFET (Metal Oxide)	サプライヤデバイスパッケージ	SOT-23-3
シリーズ	-	同上、Vgsは@ RDSで、（最大）	6 Ohm @ 100mA, 10V
電力消費（最大）	225mW (Ta)	パッケージング	Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	他の名前	BVSS123LT1G-ND BVSS123LT1GOSTR
運転温度	-55°C ~ 150°C (TJ)	装着タイプ	Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）	1 (Unlimited)	メーカーの標準リードタイム	40 Weeks
鉛フリーステータス/ RoHSステータス	Lead free / RoHS Compliant	入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	20pF @ 25V
FETタイプ	N-Channel	FET特長	-
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	10V	ソース電圧（VDSS）にドレイン	100V
詳細な説明	N-Channel 100V 170mA (Ta) 225mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3	電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	170mA (Ta)

★注文金額が1,000米ドルを超える場合、DHL / FEDEX / UPSによる無料配送。
（集積回路、回路保護、RF / IFおよびRFID、オプトエレクトロニクス、センサー、トランスデューサー、変圧器、アイソレーター、スイッチ、リレーのみ）

★配達時間は、DHL / UPS / FEDEX / TNTによる世界中のほとんどの国への2-4日を必要とします。

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