FCD4N60TM_WS

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

画像はあくまで参考用です、実用的な製品の仕様を参照してください。

製品の概要

部品型番:	FCD4N60TM_WS
メーカー/ブランド:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
製品の説明	MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK
仕様書:	FCD4N60TM_WS.pdf
RoHS ステータス	鉛フリー/ RoHS準拠
在庫状況	4436 pcs stock
配達場所	香港
輸送モード	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4436 pcs

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部品型番	FCD4N60TM_WS	メーカー	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
説明	MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK	フリーステータス/ RoHS状態	鉛フリー/ RoHS準拠
在庫あり	4436 pcs	データシート	FCD4N60TM_WS.pdf
同上@ VGS（TH）（最大）	5V @ 250µA	Vgs（最大）	±30V
技術	MOSFET (Metal Oxide)	サプライヤデバイスパッケージ	D-Pak
シリーズ	SuperFET™	同上、Vgsは@ RDSで、（最大）	1.2 Ohm @ 2A, 10V
電力消費（最大）	50W (Tc)	パッケージング	Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	他の名前	FCD4N60TM_WSTR
運転温度	-55°C ~ 150°C (TJ)	装着タイプ	Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）	1 (Unlimited)	鉛フリーステータス/ RoHSステータス	Lead free / RoHS Compliant
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	540pF @ 25V	ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs	16.6nC @ 10V
FETタイプ	N-Channel	FET特長	-
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	10V	ソース電圧（VDSS）にドレイン	600V
詳細な説明	N-Channel 600V 3.9A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount D-Pak	電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	3.9A (Tc)
ベース部品番号	FCD4N60

★注文金額が1,000米ドルを超える場合、DHL / FEDEX / UPSによる無料配送。
（集積回路、回路保護、RF / IFおよびRFID、オプトエレクトロニクス、センサー、トランスデューサー、変圧器、アイソレーター、スイッチ、リレーのみ）

★配達時間は、DHL / UPS / FEDEX / TNTによる世界中のほとんどの国への2-4日を必要とします。

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