| 部品型番 | FCPF099N65S3 | メーカー | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| 説明 | MOSFET N-CH 650V 30A TO220F | フリーステータス/ RoHS状態 | |
| 在庫あり | 40437 pcs | データシート | FCPF099N65S3.pdf |
| 同上@ VGS(TH)(最大) | 4.5V @ 3mA | Vgs(最大) | ±30V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | サプライヤデバイスパッケージ | TO-220F |
| シリーズ | SuperFET® III | 同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 99 mOhm @ 15A, 10V |
| 電力消費(最大) | 43W (Tc) | パッケージ/ケース | TO-220-3 Full Pack |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 装着タイプ | Through Hole |
| 水分感受性レベル(MSL) | Not Applicable | 入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 2310pF @ 400V |
| ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 57nC @ 10V | FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - | 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
| ソース電圧(VDSS)にドレイン | 650V | 詳細な説明 | N-Channel 650V 30A (Tc) 43W (Tc) Through Hole TO-220F |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 30A (Tc) |
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