FDD86110

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

画像はあくまで参考用です、実用的な製品の仕様を参照してください。

製品の概要

部品型番:	FDD86110
メーカー/ブランド:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
製品の説明	MOSFET N-CH 100V 12.5A DPAK-3
仕様書:	FDD86110.pdf
RoHS ステータス	鉛フリー/ RoHS準拠
在庫状況	73235 pcs stock
配達場所	香港
輸送モード	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 73235 pcs

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部品型番	FDD86110	メーカー	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
説明	MOSFET N-CH 100V 12.5A DPAK-3	フリーステータス/ RoHS状態	鉛フリー/ RoHS準拠
在庫あり	73235 pcs	データシート	FDD86110.pdf
同上@ VGS（TH）（最大）	4V @ 250µA	Vgs（最大）	±20V
技術	MOSFET (Metal Oxide)	サプライヤデバイスパッケージ	D-PAK (TO-252)
シリーズ	PowerTrench®	同上、Vgsは@ RDSで、（最大）	10.2 mOhm @ 12.5A, 10V
電力消費（最大）	3.1W (Ta), 127W (Tc)	パッケージング	Original-Reel®
パッケージ/ケース	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	他の名前	FDD86110DKR
運転温度	-55°C ~ 150°C (TJ)	装着タイプ	Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）	1 (Unlimited)	メーカーの標準リードタイム	30 Weeks
鉛フリーステータス/ RoHSステータス	Lead free / RoHS Compliant	入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	2265pF @ 50V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs	35nC @ 10V	FETタイプ	N-Channel
FET特長	-	駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	6V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン	100V	詳細な説明	N-Channel 100V 12.5A (Ta), 50A (Tc) 3.1W (Ta), 127W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252)
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	12.5A (Ta), 50A (Tc)

★注文金額が1,000米ドルを超える場合、DHL / FEDEX / UPSによる無料配送。
（集積回路、回路保護、RF / IFおよびRFID、オプトエレクトロニクス、センサー、トランスデューサー、変圧器、アイソレーター、スイッチ、リレーのみ）

★配達時間は、DHL / UPS / FEDEX / TNTによる世界中のほとんどの国への2-4日を必要とします。

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