FDD86369

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

画像はあくまで参考用です、実用的な製品の仕様を参照してください。

製品の概要

部品型番:	FDD86369
メーカー/ブランド:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
製品の説明	MOSFET N-CHANNEL 80V 90A TO252
仕様書:	FDD86369.pdf
在庫状況	85730 pcs stock
配達場所	香港
輸送モード	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 85730 pcs

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部品型番	FDD86369	メーカー	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
説明	MOSFET N-CHANNEL 80V 90A TO252	フリーステータス/ RoHS状態
在庫あり	85730 pcs	データシート	FDD86369.pdf
同上@ VGS（TH）（最大）	4V @ 250µA	Vgs（最大）	±20V
技術	MOSFET (Metal Oxide)	サプライヤデバイスパッケージ	TO-252, (D-Pak)
シリーズ	Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®	同上、Vgsは@ RDSで、（最大）	7.9 mOhm @ 80A, 10V
電力消費（最大）	150W (Tj)	パッケージング	Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	他の名前	FDD86369-ND FDD86369OSTR
運転温度	-55°C ~ 175°C (TJ)	装着タイプ	Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）	1 (Unlimited)	メーカーの標準リードタイム	16 Weeks
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	2530pF @ 40V	ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs	54nC @ 10V
FETタイプ	N-Channel	FET特長	-
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	10V	ソース電圧（VDSS）にドレイン	80V
詳細な説明	N-Channel 80V 90A (Tc) 150W (Tj) Surface Mount TO-252, (D-Pak)	電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	90A (Tc)

★注文金額が1,000米ドルを超える場合、DHL / FEDEX / UPSによる無料配送。
（集積回路、回路保護、RF / IFおよびRFID、オプトエレクトロニクス、センサー、トランスデューサー、変圧器、アイソレーター、スイッチ、リレーのみ）

★配達時間は、DHL / UPS / FEDEX / TNTによる世界中のほとんどの国への2-4日を必要とします。

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