FDFMA3N109

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

画像はあくまで参考用です、実用的な製品の仕様を参照してください。

製品の概要

部品型番:	FDFMA3N109
メーカー/ブランド:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
製品の説明	MOSFET N-CH 30V 2.9A MICRO2X2
仕様書:	FDFMA3N109.pdf
RoHS ステータス	鉛フリー/ RoHS準拠
在庫状況	152456 pcs stock
配達場所	香港
輸送モード	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 152456 pcs

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部品型番	FDFMA3N109	メーカー	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
説明	MOSFET N-CH 30V 2.9A MICRO2X2	フリーステータス/ RoHS状態	鉛フリー/ RoHS準拠
在庫あり	152456 pcs	データシート	FDFMA3N109.pdf
同上@ VGS（TH）（最大）	1.5V @ 250µA	Vgs（最大）	±12V
技術	MOSFET (Metal Oxide)	サプライヤデバイスパッケージ	6-MicroFET (2x2)
シリーズ	PowerTrench®	同上、Vgsは@ RDSで、（最大）	123 mOhm @ 2.9A, 4.5V
電力消費（最大）	1.5W (Ta)	パッケージング	Cut Tape (CT)
パッケージ/ケース	6-VDFN Exposed Pad	他の名前	FDFMA3N109CT FDFMA3N109CT-ND FDFMA3N109FSCT
運転温度	-55°C ~ 150°C (TJ)	装着タイプ	Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）	1 (Unlimited)	メーカーの標準リードタイム	39 Weeks
鉛フリーステータス/ RoHSステータス	Lead free / RoHS Compliant	入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	220pF @ 15V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs	3nC @ 4.5V	FETタイプ	N-Channel
FET特長	Schottky Diode (Isolated)	駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	2.5V, 4.5V
ソース電圧（VDSS）にドレイン	30V	詳細な説明	N-Channel 30V 2.9A (Tc) 1.5W (Ta) Surface Mount 6-MicroFET (2x2)
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	2.9A (Tc)

★注文金額が1,000米ドルを超える場合、DHL / FEDEX / UPSによる無料配送。
（集積回路、回路保護、RF / IFおよびRFID、オプトエレクトロニクス、センサー、トランスデューサー、変圧器、アイソレーター、スイッチ、リレーのみ）

★配達時間は、DHL / UPS / FEDEX / TNTによる世界中のほとんどの国への2-4日を必要とします。

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