FDFS2P106A

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

画像はあくまで参考用です、実用的な製品の仕様を参照してください。

製品の概要

部品型番:	FDFS2P106A
メーカー/ブランド:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
製品の説明	MOSFET P-CH 60V 3A 8-SOIC
仕様書:	FDFS2P106A.pdf
RoHS ステータス	鉛フリー/ RoHS準拠
在庫状況	86412 pcs stock
配達場所	香港
輸送モード	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 86412 pcs

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部品型番	FDFS2P106A	メーカー	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
説明	MOSFET P-CH 60V 3A 8-SOIC	フリーステータス/ RoHS状態	鉛フリー/ RoHS準拠
在庫あり	86412 pcs	データシート	FDFS2P106A.pdf
同上@ VGS（TH）（最大）	3V @ 250µA	Vgs（最大）	±20V
技術	MOSFET (Metal Oxide)	サプライヤデバイスパッケージ	8-SOIC
シリーズ	PowerTrench®	同上、Vgsは@ RDSで、（最大）	110 mOhm @ 3A, 10V
電力消費（最大）	900mW (Ta)	パッケージング	Cut Tape (CT)
パッケージ/ケース	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	他の名前	FDFS2P106A_NLCT FDFS2P106A_NLCT-ND FDFS2P106ACT
運転温度	-55°C ~ 150°C (TJ)	装着タイプ	Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）	1 (Unlimited)	メーカーの標準リードタイム	26 Weeks
鉛フリーステータス/ RoHSステータス	Lead free / RoHS Compliant	入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	714pF @ 30V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs	21nC @ 10V	FETタイプ	P-Channel
FET特長	Schottky Diode (Isolated)	駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	4.5V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン	60V	詳細な説明	P-Channel 60V 3A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	3A (Ta)

★注文金額が1,000米ドルを超える場合、DHL / FEDEX / UPSによる無料配送。
（集積回路、回路保護、RF / IFおよびRFID、オプトエレクトロニクス、センサー、トランスデューサー、変圧器、アイソレーター、スイッチ、リレーのみ）

★配達時間は、DHL / UPS / FEDEX / TNTによる世界中のほとんどの国への2-4日を必要とします。

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