FDME820NZT

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

画像はあくまで参考用です、実用的な製品の仕様を参照してください。

製品の概要

部品型番:	FDME820NZT
メーカー/ブランド:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
製品の説明	MOSFET N-CH 20V 9A MICROFET 1.6
仕様書:	FDME820NZT.pdf
RoHS ステータス	鉛フリー/ RoHS準拠
在庫状況	138083 pcs stock
配達場所	香港
輸送モード	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 138083 pcs

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部品型番	FDME820NZT	メーカー	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
説明	MOSFET N-CH 20V 9A MICROFET 1.6	フリーステータス/ RoHS状態	鉛フリー/ RoHS準拠
在庫あり	138083 pcs	データシート	FDME820NZT.pdf
同上@ VGS（TH）（最大）	1V @ 250µA	Vgs（最大）	±12V
技術	MOSFET (Metal Oxide)	サプライヤデバイスパッケージ	MicroFet 1.6x1.6 Thin
シリーズ	PowerTrench®	同上、Vgsは@ RDSで、（最大）	18 mOhm @ 9A, 4.5V
電力消費（最大）	2.1W (Ta)	パッケージング	Original-Reel®
パッケージ/ケース	6-PowerUFDFN	他の名前	FDME820NZTDKR
運転温度	-55°C ~ 150°C (TJ)	装着タイプ	Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）	1 (Unlimited)	メーカーの標準リードタイム	39 Weeks
鉛フリーステータス/ RoHSステータス	Lead free / RoHS Compliant	入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	865pF @ 10V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs	8.5nC @ 4.5V	FETタイプ	N-Channel
FET特長	-	駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	1.8V, 4.5V
ソース電圧（VDSS）にドレイン	20V	詳細な説明	N-Channel 20V 9A (Ta) 2.1W (Ta) Surface Mount MicroFet 1.6x1.6 Thin
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	9A (Ta)

★注文金額が1,000米ドルを超える場合、DHL / FEDEX / UPSによる無料配送。
（集積回路、回路保護、RF / IFおよびRFID、オプトエレクトロニクス、センサー、トランスデューサー、変圧器、アイソレーター、スイッチ、リレーのみ）

★配達時間は、DHL / UPS / FEDEX / TNTによる世界中のほとんどの国への2-4日を必要とします。

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