FDR8702H

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

画像はあくまで参考用です、実用的な製品の仕様を参照してください。

製品の概要

部品型番:	FDR8702H
メーカー/ブランド:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
製品の説明	MOSFET N/P-CH 20V SSOT-8
仕様書:	FDR8702H.pdf
RoHS ステータス	鉛フリー/ RoHS準拠
在庫状況	4370 pcs stock
配達場所	香港
輸送モード	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4370 pcs

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部品型番	FDR8702H	メーカー	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
説明	MOSFET N/P-CH 20V SSOT-8	フリーステータス/ RoHS状態	鉛フリー/ RoHS準拠
在庫あり	4370 pcs	データシート	FDR8702H.pdf
同上@ VGS（TH）（最大）	1.5V @ 250µA	サプライヤデバイスパッケージ	SuperSOT™-8
シリーズ	PowerTrench®	同上、Vgsは@ RDSで、（最大）	38 mOhm @ 3.6A, 4.5V
電力 - 最大	800mW	パッケージング	Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース	8-SMD, Gull Wing	運転温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ	Surface Mount	水分感受性レベル（MSL）	1 (Unlimited)
鉛フリーステータス/ RoHSステータス	Lead free / RoHS Compliant	入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	650pF @ 10V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs	10nC @ 4.5V	FETタイプ	N and P-Channel
FET特長	Logic Level Gate	ソース電圧（VDSS）にドレイン	20V
詳細な説明	Mosfet Array N and P-Channel 20V 3.6A, 2.6A 800mW Surface Mount SuperSOT™-8	電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	3.6A, 2.6A

★注文金額が1,000米ドルを超える場合、DHL / FEDEX / UPSによる無料配送。
（集積回路、回路保護、RF / IFおよびRFID、オプトエレクトロニクス、センサー、トランスデューサー、変圧器、アイソレーター、スイッチ、リレーのみ）

★配達時間は、DHL / UPS / FEDEX / TNTによる世界中のほとんどの国への2-4日を必要とします。

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