FGA50N100BNTD2

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

画像はあくまで参考用です、実用的な製品の仕様を参照してください。

製品の概要

部品型番:	FGA50N100BNTD2
メーカー/ブランド:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
製品の説明	IGBT 1000V 50A 156W TO3P
仕様書:	FGA50N100BNTD2.pdf
RoHS ステータス	鉛フリー/ RoHS準拠
在庫状況	10405 pcs stock
配達場所	香港
輸送モード	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 10405 pcs

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部品型番	FGA50N100BNTD2	メーカー	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
説明	IGBT 1000V 50A 156W TO3P	フリーステータス/ RoHS状態	鉛フリー/ RoHS準拠
在庫あり	10405 pcs	データシート	FGA50N100BNTD2.pdf
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）	1000V	VGE、Icを@ VCE（上）（最大）	2.9V @ 15V, 60A
試験条件	600V, 60A, 10 Ohm, 15V	Td（オン/オフ）@ 25℃	34ns/243ns
エネルギーの切り替え	-	サプライヤデバイスパッケージ	TO-3P
シリーズ	-	逆回復時間（trrの）	75ns
電力 - 最大	156W	パッケージング	Tube
パッケージ/ケース	TO-3P-3, SC-65-3	運転温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ	Through Hole	水分感受性レベル（MSL）	1 (Unlimited)
鉛フリーステータス/ RoHSステータス	Lead free / RoHS Compliant	入力タイプ	Standard
IGBTタイプ	NPT and Trench	ゲートチャージ	257nC
詳細な説明	IGBT NPT and Trench 1000V 50A 156W Through Hole TO-3P	電流 - コレクタパルス（ICM）	200A
電流 - コレクタ（Ic）（Max）	50A

★注文金額が1,000米ドルを超える場合、DHL / FEDEX / UPSによる無料配送。
（集積回路、回路保護、RF / IFおよびRFID、オプトエレクトロニクス、センサー、トランスデューサー、変圧器、アイソレーター、スイッチ、リレーのみ）

★配達時間は、DHL / UPS / FEDEX / TNTによる世界中のほとんどの国への2-4日を必要とします。

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