| 部品型番 | FGA60N65SMD | メーカー | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| 説明 | IGBT 650V 120A 600W TO3P | フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 在庫あり | 40848 pcs | データシート | FGA60N65SMD.pdf |
| 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大) | 650V | VGE、Icを@ VCE(上)(最大) | 2.5V @ 15V, 60A |
| 試験条件 | 400V, 60A, 3 Ohm, 15V | Td(オン/オフ)@ 25℃ | 18ns/104ns |
| エネルギーの切り替え | 1.54mJ (on), 450µJ (off) | サプライヤデバイスパッケージ | TO-3PN |
| シリーズ | - | 逆回復時間(trrの) | 47ns |
| 電力 - 最大 | 600W | パッケージング | Tube |
| パッケージ/ケース | TO-3P-3, SC-65-3 | 他の名前 | FGA60N65SMD-ND FGA60N65SMDFS |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 装着タイプ | Through Hole |
| 水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) | 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
| 入力タイプ | Standard | IGBTタイプ | Field Stop |
| ゲートチャージ | 189nC | 詳細な説明 | IGBT Field Stop 650V 120A 600W Through Hole TO-3PN |
| 電流 - コレクタパルス(ICM) | 180A | 電流 - コレクタ(Ic)(Max) | 120A |
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