FQB4N90TM

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

画像はあくまで参考用です、実用的な製品の仕様を参照してください。

製品の概要

部品型番:	FQB4N90TM
メーカー/ブランド:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
製品の説明	MOSFET N-CH 900V 4.2A D2PAK
仕様書:	FQB4N90TM.pdf
RoHS ステータス	鉛フリー/ RoHS準拠
在庫状況	5946 pcs stock
配達場所	香港
輸送モード	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5946 pcs

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部品型番	FQB4N90TM	メーカー	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
説明	MOSFET N-CH 900V 4.2A D2PAK	フリーステータス/ RoHS状態	鉛フリー/ RoHS準拠
在庫あり	5946 pcs	データシート	FQB4N90TM.pdf
同上@ VGS（TH）（最大）	5V @ 250µA	Vgs（最大）	±30V
技術	MOSFET (Metal Oxide)	サプライヤデバイスパッケージ	D²PAK (TO-263AB)
シリーズ	QFET®	同上、Vgsは@ RDSで、（最大）	3.3 Ohm @ 2.1A, 10V
電力消費（最大）	3.13W (Ta), 140W (Tc)	パッケージング	Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	運転温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ	Surface Mount	水分感受性レベル（MSL）	1 (Unlimited)
鉛フリーステータス/ RoHSステータス	Lead free / RoHS Compliant	入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	1100pF @ 25V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs	30nC @ 10V	FETタイプ	N-Channel
FET特長	-	駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン	900V	詳細な説明	N-Channel 900V 4.2A (Tc) 3.13W (Ta), 140W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	4.2A (Tc)

★注文金額が1,000米ドルを超える場合、DHL / FEDEX / UPSによる無料配送。
（集積回路、回路保護、RF / IFおよびRFID、オプトエレクトロニクス、センサー、トランスデューサー、変圧器、アイソレーター、スイッチ、リレーのみ）

★配達時間は、DHL / UPS / FEDEX / TNTによる世界中のほとんどの国への2-4日を必要とします。

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