MVB50P03HDLT4G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

画像はあくまで参考用です、実用的な製品の仕様を参照してください。

製品の概要

部品型番:	MVB50P03HDLT4G
メーカー/ブランド:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
製品の説明	INTEGRATED CIRCUIT
仕様書:	MVB50P03HDLT4G.pdf
RoHS ステータス	鉛フリー/ RoHS準拠
在庫状況	4953 pcs stock
配達場所	香港
輸送モード	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4953 pcs

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部品型番	MVB50P03HDLT4G	メーカー	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
説明	INTEGRATED CIRCUIT	フリーステータス/ RoHS状態	鉛フリー/ RoHS準拠
在庫あり	4953 pcs	データシート	MVB50P03HDLT4G.pdf
同上@ VGS（TH）（最大）	2V @ 250µA	Vgs（最大）	±15V
技術	MOSFET (Metal Oxide)	サプライヤデバイスパッケージ	D2PAK-3
シリーズ	Automotive, AEC-Q101	同上、Vgsは@ RDSで、（最大）	25 mOhm @ 25A, 5V
電力消費（最大）	125W (Tc)	パッケージ/ケース	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
運転温度	-55°C ~ 150°C (TJ)	装着タイプ	Surface Mount
鉛フリーステータス/ RoHSステータス	Lead free / RoHS Compliant	入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	4.9nF @ 25V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs	100nC @ 5V	FETタイプ	P-Channel
FET特長	-	駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	5V
ソース電圧（VDSS）にドレイン	30V	詳細な説明	P-Channel 30V 50A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount D2PAK-3
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	50A (Tc)

★注文金額が1,000米ドルを超える場合、DHL / FEDEX / UPSによる無料配送。
（集積回路、回路保護、RF / IFおよびRFID、オプトエレクトロニクス、センサー、トランスデューサー、変圧器、アイソレーター、スイッチ、リレーのみ）

★配達時間は、DHL / UPS / FEDEX / TNTによる世界中のほとんどの国への2-4日を必要とします。

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