| 部品型番 | RFP4N100 | メーカー | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| 説明 | MOSFET N-CH 1KV 4.3A TO-220AB | フリーステータス/ RoHS状態 | リード/ RoHS非対応 |
| 在庫あり | 6044 pcs | データシート | RFP4N100.pdf |
| 同上@ VGS(TH)(最大) | 4V @ 250µA | 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220AB | シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 3.5 Ohm @ 2.5A, 10V | パッケージング | Tube |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | 装着タイプ | Through Hole |
| 水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) | 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Contains lead / RoHS non-compliant |
| ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 120nC @ 20V | FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - | ソース電圧(VDSS)にドレイン | 1000V |
| 詳細な説明 | N-Channel 1000V 4.3A (Tc) Through Hole TO-220AB | 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 4.3A (Tc) |
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