| 部品型番 | DMHC6070LSD-13 | メーカー | Diodes Incorporated |
|---|---|---|---|
| 説明 | MOSFET 2N/2P-CHA 60V 3.1A 8SO | フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 在庫あり | 121640 pcs | データシート | DMHC6070LSD-13.pdf |
| 同上@ VGS(TH)(最大) | 3V @ 250µA | サプライヤデバイスパッケージ | 8-SO |
| シリーズ | - | 同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 100 mOhm @ 1A, 10V |
| 電力 - 最大 | 1.6W | パッケージング | Tape & Reel (TR) |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 他の名前 | DMHC6070LSD-13DITR |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 装着タイプ | Surface Mount |
| 水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) | メーカーの標準リードタイム | 32 Weeks |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant | 入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 731pF @ 20V |
| ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 11.5nC @ 10V | FETタイプ | 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) |
| FET特長 | Standard | ソース電圧(VDSS)にドレイン | 60V |
| 詳細な説明 | Mosfet Array 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) 60V 3.1A, 2.4A 1.6W Surface Mount 8-SO | 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 3.1A, 2.4A |
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