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Diodes Incorporated
| 部品型番 | DMT8012LPS-13 | メーカー | Diodes Incorporated |
|---|---|---|---|
| 説明 | MOSFET N-CH 80V 9A PWRDI5060-8 | フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 在庫あり | 150105 pcs | データシート | DMT8012LPS-13.pdf |
| 電圧 - テスト | 1949pF @ 40V | 電圧 - ブレークダウン | PowerDI5060-8 |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 17 mOhm @ 12A, 10V | Vgs（最大） | 4.5V, 10V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | シリーズ | - |
| RoHSステータス | Tape & Reel (TR) | 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 9A (Ta), 65A (Tc) |
| 偏光 | 8-PowerTDFN | 他の名前 | DMT8012LPS-13DITR |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 装着タイプ | Surface Mount |
| 水分感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) | メーカーの標準リードタイム | 16 Weeks |
| 製造元の部品番号 | DMT8012LPS-13 | 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 34nC @ 10V |
| IGBTタイプ | ±20V | ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 3V @ 250µA |
| FET特長 | N-Channel | 拡張された説明 | N-Channel 80V 9A (Ta), 65A (Tc) 2.1W (Ta), 113W (Tc) Surface Mount PowerDI5060-8 |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | - | 説明 | MOSFET N-CH 80V 9A PWRDI5060-8 |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 80V | 静電容量比 | 2.1W (Ta), 113W (Tc) |
| フェデックス | www.FedEx.com | 35.00ドルからの基本送料は、ゾーンと国によって異なります。 |
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| DHL | www.DHL.com | 35.00ドルからの基本送料は、ゾーンと国によって異なります。 |
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