| 部品型番 | EPC2100ENGRT | メーカー | EPC |
|---|---|---|---|
| 説明 | MOSFET 2 N-CH 30V 9.5A/38A DIE | フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 在庫あり | 17852 pcs | データシート | EPC2100ENGRT.pdf |
| 同上@ VGS(TH)(最大) | 2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA | サプライヤデバイスパッケージ | Die |
| シリーズ | eGaN® | 同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 8.2 mOhm @ 25A, 5V, 2.1 mOhm @ 25A, 5V |
| 電力 - 最大 | - | パッケージング | Tape & Reel (TR) |
| パッケージ/ケース | Die | 他の名前 | 917-EPC2100ENGRTR |
| 運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 装着タイプ | Surface Mount |
| 水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) | メーカーの標準リードタイム | 16 Weeks |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant | 入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 475pF @ 15V, 1960pF @ 15V |
| ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V | FETタイプ | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET特長 | GaNFET (Gallium Nitride) | ソース電圧(VDSS)にドレイン | 30V |
| 詳細な説明 | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 10A (Ta), 40A (Ta) Surface Mount Die | 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 10A (Ta), 40A (Ta) |
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