EPC2110ENGRT

EPC

画像はあくまで参考用です、実用的な製品の仕様を参照してください。

製品の概要

In Stock 96093 pcs

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部品型番	EPC2110ENGRT	メーカー	EPC
説明	TRANS GAN 2N-CH 120V BUMPED DIE	フリーステータス/ RoHS状態	鉛フリー/ RoHS準拠
在庫あり	96093 pcs	データシート	EPC2110ENGRT.pdf
同上@ VGS（TH）（最大）	2.5V @ 700µA	サプライヤデバイスパッケージ	Die
シリーズ	eGaN®	同上、Vgsは@ RDSで、（最大）	60 mOhm @ 4A, 5V
電力 - 最大	-	パッケージング	Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース	Die	他の名前	917-EPC2110ENGRTR EPC2110ENGR
運転温度	-40°C ~ 150°C (TJ)	装着タイプ	Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）	1 (Unlimited)	メーカーの標準リードタイム	16 Weeks
鉛フリーステータス/ RoHSステータス	Lead free / RoHS Compliant	入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	80pF @ 60V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs	0.8nC @ 5V	FETタイプ	2 N-Channel (Dual) Common Source
FET特長	GaNFET (Gallium Nitride)	ソース電圧（VDSS）にドレイン	120V
詳細な説明	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Source 120V 3.4A Surface Mount Die	電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	3.4A

★注文金額が1,000米ドルを超える場合、DHL / FEDEX / UPSによる無料配送。
（集積回路、回路保護、RF / IFおよびRFID、オプトエレクトロニクス、センサー、トランスデューサー、変圧器、アイソレーター、スイッチ、リレーのみ）

★配達時間は、DHL / UPS / FEDEX / TNTによる世界中のほとんどの国への2-4日を必要とします。

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