| 部品型番 | EPC8005ENGR | メーカー | EPC |
|---|---|---|---|
| 説明 | TRANS GAN 65V 2.9A BUMPED DIE | フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 在庫あり | 5604 pcs | データシート | 1.EPC8005ENGR.pdf2.EPC8005ENGR.pdf |
| 電圧 - テスト | 29pF @ 32.5V | 電圧 - ブレークダウン | Die |
| 同上@ VGS(TH)(最大) | 275 mOhm @ 500mA, 5V | 技術 | GaNFET (Gallium Nitride) |
| シリーズ | eGaN® | RoHSステータス | Tray |
| 同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 2.9A (Ta) | 偏光 | Die |
| 他の名前 | 917-EPC8005ENGR EPC8005ENGH |
運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount | 水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
| 製造元の部品番号 | EPC8005ENGR | 入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 0.22nC @ 5V |
| ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 2.5V @ 250µA | FET特長 | N-Channel |
| 拡張された説明 | N-Channel 65V 2.9A (Ta) Surface Mount Die | ソース電圧(VDSS)にドレイン | - |
| 説明 | TRANS GAN 65V 2.9A BUMPED DIE | 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 65V |
| 静電容量比 | - |
| フェデックス | www.FedEx.com | 35.00ドルからの基本送料は、ゾーンと国によって異なります。 |
|---|---|---|
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