| 部品型番 | FDP047N08 | メーカー | Fairchild/ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| 説明 | MOSFET N-CH 75V 164A TO-220 | フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 在庫あり | 60861 pcs | データシート | 1.FDP047N08.pdf2.FDP047N08.pdf |
| 電圧 - テスト | 9415pF @ 25V | 電圧 - ブレークダウン | TO-220-3 |
| 同上@ VGS(TH)(最大) | 4.7 mOhm @ 80A, 10V | Vgs(最大) | 10V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | シリーズ | PowerTrench® |
| RoHSステータス | Tube | 同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 164A (Tc) |
| 偏光 | TO-220-3 | 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 装着タイプ | Through Hole | 水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
| メーカーの標準リードタイム | 12 Weeks | 製造元の部品番号 | FDP047N08 |
| 入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 152nC @ 10V | IGBTタイプ | ±20V |
| ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 4.5V @ 250µA | FET特長 | N-Channel |
| 拡張された説明 | N-Channel 75V 164A (Tc) 268W (Tc) Through Hole TO-220-3 | ソース電圧(VDSS)にドレイン | - |
| 説明 | MOSFET N-CH 75V 164A TO-220 | 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 75V |
| 静電容量比 | 268W (Tc) |
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