| 部品型番 | 1N8035-GA | メーカー | GeneSiC Semiconductor |
|---|---|---|---|
| 説明 | DIODE SCHOTTKY 650V 14.6A TO276 | フリーステータス/ RoHS状態 | リード/ RoHS非対応 |
| 在庫あり | 521 pcs | データシート | 1N8035-GA.pdf |
| 電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@ | 1.5V @ 15A | 電圧 - 逆(VR)(最大) | 650V |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-276 | 速度 | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| シリーズ | - | 逆回復時間(trrの) | 0ns |
| パッケージング | Tube | パッケージ/ケース | TO-276AA |
| 他の名前 | 1242-1122 1N8035GA |
動作温度 - ジャンクション | -55°C ~ 250°C |
| 装着タイプ | Surface Mount | 水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
| メーカーの標準リードタイム | 18 Weeks | 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Contains lead / RoHS non-compliant |
| ダイオードタイプ | Silicon Carbide Schottky | 詳細な説明 | Diode Silicon Carbide Schottky 650V 14.6A (DC) Surface Mount TO-276 |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 5µA @ 650V | 電流 - 平均整流(イオ) | 14.6A (DC) |
| Vrと、F @キャパシタンス | 1107pF @ 1V, 1MHz | ベース部品番号 | 1N8035 |
| フェデックス | www.FedEx.com | 35.00ドルからの基本送料は、ゾーンと国によって異なります。 |
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