| 部品型番 | 2N7635-GA | メーカー | GeneSiC Semiconductor |
|---|---|---|---|
| 説明 | TRANS SJT 650V 4A TO-257 | フリーステータス/ RoHS状態 | リード/ RoHS非対応 |
| 在庫あり | 5009 pcs | データシート | 2N7635-GA.pdf |
| 同上@ VGS(TH)(最大) | - | Vgs(最大) | - |
| 技術 | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) | サプライヤデバイスパッケージ | TO-257 |
| シリーズ | - | 同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 415 mOhm @ 4A |
| 電力消費(最大) | 47W (Tc) | パッケージング | Bulk |
| パッケージ/ケース | TO-257-3 | 他の名前 | 1242-1146 |
| 運転温度 | -55°C ~ 225°C (TJ) | 装着タイプ | Through Hole |
| 水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) | 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Contains lead / RoHS non-compliant |
| 入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 324pF @ 35V | FETタイプ | - |
| FET特長 | - | 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | - |
| ソース電圧(VDSS)にドレイン | 650V | 詳細な説明 | 650V 4A (Tc) (165°C) 47W (Tc) Through Hole TO-257 |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 4A (Tc) (165°C) |
| フェデックス | www.FedEx.com | 35.00ドルからの基本送料は、ゾーンと国によって異なります。 |
|---|---|---|
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