| 部品型番 | 1N8033-GA | メーカー | GeneSiC Semiconductor |
|---|---|---|---|
| 説明 | DIODE SCHOTTKY 650V 4.3A TO276 | フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 在庫あり | 539 pcs | データシート | 1N8033-GA.pdf |
| 電圧 - ピーク逆(最大) | Silicon Carbide Schottky | 電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@ | 4.3A (DC) |
| 電圧 - ブレークダウン | TO-276 | シリーズ | - |
| RoHSステータス | Tube | 逆回復時間(trrの) | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| もし、F @抵抗 | 274pF @ 1V, 1MHz | 偏光 | TO-276AA |
| 他の名前 | 1242-1120 1N8033GA |
動作温度 - ジャンクション | 0ns |
| 装着タイプ | Surface Mount | 水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
| メーカーの標準リードタイム | 18 Weeks | 製造元の部品番号 | 1N8033-GA |
| 拡張された説明 | Diode Silicon Carbide Schottky 650V 4.3A (DC) Surface Mount TO-276 | ダイオード構成 | 5µA @ 650V |
| 説明 | DIODE SCHOTTKY 650V 4.3A TO276 | 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 1.65V @ 5A |
| 電流 - 平均整流(イオ)(ダイオード当たり) | 650V | Vrと、F @キャパシタンス | -55°C ~ 250°C |
| フェデックス | www.FedEx.com | 35.00ドルからの基本送料は、ゾーンと国によって異なります。 |
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