70V657S10DR

IDT (Integrated Device Technology)

画像はあくまで参考用です、実用的な製品の仕様を参照してください。

製品の概要

部品型番:	70V657S10DR
メーカー/ブランド:	IDT (Integrated Device Technology)
製品の説明	IC SRAM 1.125M PARALLEL 208PQFP
仕様書:	1.70V657S10DR.pdf 2.70V657S10DR.pdf
RoHS ステータス	リード/ RoHS非対応
在庫状況	5327 pcs stock
配達場所	香港
輸送モード	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5327 pcs

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部品型番	70V657S10DR	メーカー	IDT (Integrated Device Technology)
説明	IC SRAM 1.125M PARALLEL 208PQFP	フリーステータス/ RoHS状態	リード/ RoHS非対応
在庫あり	5327 pcs	データシート	1.70V657S10DR.pdf 2.70V657S10DR.pdf
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ	10ns	電源電圧 -	3.15 V ~ 3.45 V
技術	SRAM - Dual Port, Asynchronous	サプライヤデバイスパッケージ	208-PQFP (28x28)
シリーズ	-	パッケージング	Tray
パッケージ/ケース	208-BFQFP	他の名前	IDT70V657S10DR IDT70V657S10DR-ND
運転温度	0°C ~ 70°C (TA)	装着タイプ	Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）	3 (168 Hours)	メモリタイプ	Volatile
記憶容量	1.125Mb (32K x 36)	メモリインタフェース	Parallel
メモリ形式	SRAM	鉛フリーステータス/ RoHSステータス	Contains lead / RoHS non-compliant
詳細な説明	SRAM - Dual Port, Asynchronous Memory IC 1.125Mb (32K x 36) Parallel 10ns 208-PQFP (28x28)	ベース部品番号	IDT70V657
アクセス時間	10ns

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（集積回路、回路保護、RF / IFおよびRFID、オプトエレクトロニクス、センサー、トランスデューサー、変圧器、アイソレーター、スイッチ、リレーのみ）

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